產(chǎn)品分類(lèi)
導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐
所屬分類(lèi)：
Ga2O3單晶生長(zhǎng)及外延設(shè)備
導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐
概要：
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。
關(guān)鍵詞：
導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐
導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。
This equipment is mainly used for gallium oxide (Ga2O3) single crystal growth, the raw material is placed in the mold with a slit, the molten liquid rises to the top of the mold by siphoning, and is induced by the seed crystals to crystallize and grow into a single crystal.
提供2英寸驗(yàn)證工藝
Provide 2 inches validation process
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
♦ 產(chǎn)量:2-6英寸
Capacity:2-6 inches
♦最高溫度:1900℃
Maximum temperature:1900°C
♦配置:上稱(chēng)重方式 精度:10mg
Configuration:Upper weighing method accuracy:10mg
♦加熱方式:RF
Heating method:RF
♦氣體:3路
Air Circuit:3 ways
♦襯底:2英寸
Substrate:2 inches
♦XRD半高峰寬:≤150arcsec
XRD half peak width:≤150arcsec
♦位錯(cuò)密度:≤1×104cm-2
Dislocation density:≤1×104cm-2
♦載流子濃度:1×1018—2×1019cm-3（導(dǎo)電型）
Carrier concentration:1×1018-2×1019cm-3(conductive)
♦電阻率:≥1×1010Ωcm（半絕緣）
Resistivity:≥1×1010Ωcm(semi-insulating)
上一個(gè)
下一個(gè)
上一個(gè)
無(wú)
下一個(gè)
更多產(chǎn)品